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安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET 在空间受限和电池续航运行下可使电力更为持久

2022-07-27 11:37:38  来源:证券时报

安世半导体消息,公司日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有市场领先的RDS(on)特,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。

关键词: 安世半导体 沟道小信号 紧凑晶圆级 电池续航

  
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